A+ A A-

Инвестиционный проект Роснано переехал из ФИАНа на Варшавское шоссе

 

Вчера, 17 мая, состоялось торжественное открытие новой производственной площадки компании РМТ. В предшествующие годы компания РМТ развивалась в инновационном центре ФИАН. Ее проект был замечен и поддержан Роснано после визита А.Б. Чубайса в ФИАН 21 января 2009 года.

 

Компания РМТ специализируется на термоэлектрических микромодулях, принцип действия которых основан на эффекте Пельтье. Заключается эффект в том, что при пропускании электрического тока через полупроводник возникает разница температур, таким образом, возникает возможность производить отток тепла - процесс охлаждения.
Каждый активный элемент в полупроводниковой технике характеризуется оптимальными параметрами работы, но для того, чтобы он на них работал, должны соблюдаться определенные температурные режимы, для этого и применяется термостабилизация. Из существующих способов охлаждения (радиаторы, вентиляторы, водяное охлаждение и пр.) термоэлектрический способ охлаждения наиболее дорогой (в расчете рубль на ватт отводимого тепла). Однако когда речь идет об охлаждении микрообъектов, в частности, в микро- и наноэлектронике, альтернативы термоэлектричеству нет. Например, для снижения негативных эффектов значительного повышения быстродействия компьютерного процессора (его разгона до более высоких частот) обычного вентилятора уже недостаточно, в этом случае требуется локальное охлаждение. Также локального охлаждения требуют чувствительные элементы (например, фотодиоды или ПЗС-матрицы) разного рода детекторов и датчиков, миниатюрные лазеры, в том числе оптоволоконные, и многие другие устройства и элементы электроники. Космическая техника, из-за проблемы "лишнего веса", также использует термоэлектрическое охлаждение, так как модули Пельтье не потребляют большой мощности, и, соответственно, не требуют громоздких аккумуляторов.
Важно отметить, что в Советском Союзе термоэлектричество было развито очень хорошо, а пионером в области термоэлектрического преобразования энергии по праву считается советский физик академик Абрам Федорович Иоффе. Разработка термоэлектрических модулей относится к середине 50-х годов, но начало их широкого использования связано с развитием и миниатюризацией электроники и приходится на рубеж 20-21 веков.
Основой продукции компании РМТ является полупроводниковый материал на основе теллурида висмута, который растится и измельчается до субмикронных размеров, дальше этот материал спекается и режется, - так получаются мельчайшие столбики n- и p- типа проводимости. Эти столбики, размещенные в шахматном порядке и последовательно соединенные, и есть эффективная "начинка" современного модуля Пельтье, которая создает разность температур между верхним и нижним радиатором модуля. Для того, чтобы создать большую разность температур, модули включают каскадно или, иными словами, ставят один на другой в несколько "этажей". Компания РМТ производит как одно-, так и много каскадные (до шести-) модули с разностью температур до 140 градусов Цельсия.
Компания РМТ была организована в 1994 году и начиналась с весьма небольшого коллектива человек с опытом работы в области полупроводниковой техники. Начиная с 1998 года РМТ аккредитована при инновационном центре ФИАН, который обеспечил компании своевременную и необходимую поддержку в инновационном плане. Сотрудники компании дважды получали призы на открытом конкурсе инновационных работ ФИАН, а в 2008 году разработки компании обсуждались на Ученом совете ФИАН в числе передовых инновационных разработок, созданных в институте, также не без интереса к производству РМТ относился академик Виталий Лазаревич Гинзбург.

16.pngГенеральный директор РМТ Геннадий Громов показывает Виталию Гинзбургу производственную площадку на территории ФИАН. 2004 год

В сентябре 2010 года стартовал проект "Роснано" - инвестиции в создание автоматизированного серийного производства термоэлектрической продукции компании РМТ (соинвестор проекта - закрытый паевой инвестиционный фонд венчурных инвестиций "С-Групп Венчурс"). Новая производственная площадка РМТ стала первой площадкой, созданной проектной компанией Роснано в Москве (по России их уже больше 50). В настоящее время доля компании на мировом рынке термоэлектричества составляет 2%, целью проекта является завоевание10% мирового рынка в 2015 году.
История компании РМТ - это классический пример венчурного развития инновационной компании. Уже сейчас компания достаточно заметна в мире - реализация происходит как в России, так и на внешний рынок - в США, Канаде, Европе, Юго-Восточной Азии, Японии и других странах. Модули РМТ работают в телекоммуникационных приборах, приборах ночного видения, датчиках передвижения, рентгеновских детекторах, на космических аппаратах, в частности, рентгеновский спектрометр со встроенным термоэлектрическим охладителем производства РМТ работал в марсианской экспедиции НАСА (Pathfinder Mission, 1997). В 2002 году в РМТ числилось 20 человек, в настоящее время - 110, а к 2015 году планируется прибавление в коллективе до 250 человек. Помимо площадки в Москве, производство компании развивается еще в Нижнем Новгороде.

Выступая на торжественном мероприятии по случаю открытия расширенной производственной площадки РМТ, председатель правления ОАО "Роснано" Анатолий Борисович Чубайс отметил: "Собственно сам проект родился в Физическом институте имени П.Н. Лебедева РАН. Авторы проекта предложили уникальную технологию использования для охлаждения термоэлектрических устройств в микроразмерном диапазоне. Эти изделия способны "снижать" температуру прямо внутри сложнейших оптоэлектронных систем, таких как лазерная техника или телеком. Задача выйти на 10% мирового рынка к 2015 году - очень амбициозная. Но та команда, которая здесь собралась, тот научный задел, который лежит в основе этого бизнеса, реально способны выполнить эту задачу в сжатые сроки".

17.png
Геннадий Громов рассказывает Анатолию Чубайсу о плане работ на будущее

Руководитель департамента науки и промышленной политики мэрии г. Москвы Евгений Борисович Балашов сказал, что "это производство отвечает самым высоким требованиям и современным критериям экономического развития высокотехнологического мегаполиса". От имени правительства Москвы он пожелал "РМТ" успехов в новых рубежах научной мысли и бизнеса.

Также на мероприятии присутствовал президент международной термоэлектрической академии Лукьян Иванович Анатычук, он назвал открытие новой площадки "РМТ" знаковым событием для термоэлектричества. "Это то, что возрождает былую славу термоэлектричества в России, так как полупроводниковое термоэлектричество родилось именно в нашей стране", - сказал он.

Генеральный директор РМТ Геннадий Гюсамович Громов отметил, что "строительство новой площадки главным образом связано с тем, что инвесторы, в первую очередь корпорация "Роснано", поверили в нас и в то, что этот бизнес можно вывести на новый этап. Сейчас нам нужно развить наши технологии на новой площадке, нужно увеличить объемы производства, нужно убедить наших заказчиков, что мы можем и готовы делать и продавать существенно больше нашей продукции на международном рынке. И в связи с этим я хотел бы сказать всему нашему коллективу огромное спасибо за все усилия и ту работу, которая нам еще предстоит".

18.pngГеннадий Громов дарит инвесторам проекта и гостям мероприятия первые образцы одного из серийных модулей компании, сделанные на новой площадке
19.png
Сотрудники РМТ на торжественном мероприятии по случаю открытия расширенной производственной площадки


АНИ «ФИАН-информ»

 

О проекте

lebedev1

Агентство научной информации «ФИАН-информ» создано Физическим институтом имени П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) с целью популяризации фундаментальных и прикладных исследований. 

Агентство научной информации «ФИАН-информ» работает в режиме оперативной передачи достоверной информации непосредственно от первоисточника (ФИАН и его научные, научно-технические, производственные и бизнес-партнеры) всем заинтересованным сторонам. 

Целью АНИ «ФИАН-информ» является развитие системы сбора, обработки и распространения научно-технической информации и анонсирования научных, научно-прикладных и научно-образовательных событий.

Rambler's Top100
ФИАН - Информ © 2012 | All rights reserved.